韩国半导体专家：英伟达想要减少HBM需求，却增加了闪存需求
8月19日，据韩国科技商业频道，韩国半导体专家在节目上表示，英伟达为突破GPU存储物理限制，采用外置SSD方案，通过光纤或铜缆连接数百TB超大容量存储池，以NAND闪存的Z字形堆叠结构替代高成本HBM。这一架构设计将带动NAND闪存需求急剧增长。
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8月19日，据韩国科技商业频道，韩国半导体专家在节目上表示，英伟达为突破GPU存储物理限制，采用外置SSD方案，通过光纤或铜缆连接数百TB超大容量存储池，以NAND闪存的Z字形堆叠结构替代高成本HBM
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8月19日，据韩国科技商业频道，韩国半导体专家在节目上表示，英伟达为突破GPU存储物理限制，采用外置SSD方案，通过光纤或铜缆连接数百TB超大容量存储池，以NAND闪存的Z字形堆叠结构替代高成本HBM
这一架构设计将带动NAND闪存需求急剧增长
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吃瓜群众 11:01 韩国半导体专家：英伟达想要减少HBM需求，却增加了闪存需求
8月19日，据韩国科技商业频道，韩国半导体专家在节目上表示，英伟达为突破GPU存储物理限制，采用外置SSD方案，通过光纤或铜缆连接数百TB超大容量存储池，以NAND闪存的Z字形堆叠结构替代高成本HBM。这一架构设计将带动NAND闪存需求急剧增长。
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